摘要
量子阱红外探测器由于具有更高的材料均匀性和成品率,是红外探测技术研究的重点方向之一。本文通过突破材料外延、器件制备工艺、读出电路设计以及倒装互连等关键工艺技术,研制了长波640×512元GaAs/A lGaAs量子阱红外焦平面探测器。77 K下,器件的平均黑体响应率Rv为1.4×107V/W,峰值探测率Dλ*为6.2×109cm Hz1/2W-1,器件的盲元率达到了0.87%,响应率不均匀性5.8%,并在77 K下对探测器进行成像演示。
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单位中国电子科技集团公司第十一研究所