In _(0.4)Ga_(0.6)N/GaN异质结IMPATT二极管性能仿真研究

作者：戴扬; 卢昭阳; 叶青松; 党江涛; 雷晓艺; 张云尧; 廖晨光; 赵胜雷; 赵武

来源：微电子学, 2021, 1-7.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210120

• 效率
• 同型异质结
• 铟镓氮（InGaN）
• IMPATT二极管

本文提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。由于传统GaN基IMPATT器件中存在不成熟的P型GaN制造工艺问题，本研究可以成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。本文详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构的IMPATT二极管的直流和交流输出特性。研究结果显示，In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下也可以达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能表现。

• 单位
  西北大学; 西安电子科技大学