一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法

作者：罗林保; 揭建胜; 聂彪; 吴春艳; 于永强

来源：2012-01-13, 中国, CN201210011537.9.

本发明公开了一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法,其特征是以硅片为基底,将硅片表面清洗后取出晾干即为样品A,在样品A的表面旋涂光刻胶,烘干光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制接触式掩模板,利用该掩模板对光刻胶层进行曝光获得样品B,取下样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；在样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将样品D置于丙酮中去光刻胶及其上的金,保留与金接触的硅片即为样品E；将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀,在完成刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。本发明用以获得可控直径、长度、晶向的匀质硅单晶微/纳米线阵列,使其能够在器件中得到实际应用。

• 单位
  合肥工业大学