总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

作者：李泽宏; 张磊; 谭开洲

来源：电子科技大学学报, 2008, (04): 621-623.

• 功率VDMOS器件
• 薄栅氧化层
• 阈值电压漂移
• 总剂量辐照 power VDMOS device
• thin gate SiO2
• threshold voltage shift
• total dose radiation

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 中国电子科技集团公司第二十四研究所