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摘要
本发明属于半导体光电纳米材料制备技术领域,公开了一种利用Sn纳米线作为模板引导生长CdS分支结构的催化生长方法。该方法是将CdS固体粉末和SnO-2粉末研磨并混合均匀,得到前驱体混合粉末；将前驱体混合粉末倒入瓷舟中,置于管式炉的中心加热温区位置,将预处理的云母片衬底置于距中心加热温区11～12cm处的下游沉积区的瓷舟上,将瓷舟均置于石英管内,通入氢气和氩气的混合气体,将石英管内的空气排净后,在850～1150℃温度下反应,加热过程中,气流速率保持为20～40sccm,反应结束后自然降至室温,在石英管内壁和云母衬底上得到Sn掺杂CdS分支结构。该方法不需要辅助条件,通过调节合成参数一步生长得到。
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