摘要

宽带功率放大器是宽带通信、电子对抗以及雷达系统中核心、通用和高附加值部件。随着通信系统需求的不断提升,对于带宽更宽、效率更高、功率更大的功率放大器的需求已经迫在眉睫。文章基于氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)设计了一款工作频率在0.46 GHz~3.9 GHz的超宽带功率放大器。首先对输入匹配进行优化设计,实现全频带内绝对稳定以及高增益放大;其次通过对目标频带内不同频点进行多次负载牵引设计,提取出高功率、高效率输出匹配阻抗空间,并应用四段切比雪夫阻抗变换器作为输出匹配拓扑,实现宽频带内的高效率和高功率输出。测试结果表明:在0.46 GHz~3.9 GHz的工作频带内,输出功率Pout>13.8W,最高输出功率为24.1W;全频带漏极效率(Drain Efficiency,DE) DE>50.1%,最高漏极效率为67.2%。仿真与实测结果吻合,与国内外文献对比,性能优良,设计思路直观明了,为设计目前所需超宽带功率放大器提供了方向。

  • 单位
    中国空间技术研究院