碳化硅棚板高温条件下氧化破损机制研究

作者：娄有信; 杨子; 赵萍; 徐越; 王旭平; 朱志文; 张艳飞

来源：中国陶瓷, 2022, 58(07): 60-63.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2022.07.008

• 碳化硅
• 棚板
• 窑具
• 机制

SiC是一种非常重要的窑具材料，SiC棚板在陶瓷制品烧结过程中应用广泛。但是，SiC棚板在高温条件下使用过程中易出现氧化破损现象，因此，研究SiC棚板氧化破损机制对于开发高性能SiC棚板具有重要的理论、经济和社会价值。本文研究了1500℃高温条件下循环使用下SiC棚板氧化破损过程，采用XRD、SEM等技术分析了棚板表面组成与微观结构，研究了高温循环条件对碳化硅棚板结构组成的影响规律。分析表明：高温循环条件下，氧气扩散至棚板界面处与SiC发生氧化反应，造成SiC棚板表层组织中Si和C元素含量下降，并在SiC棚板表面形成新物相，新物相中含有石英相、方石英等，内部结构受损，碳化硅棚板使用寿命降低。最后，深入探讨了SiC棚板氧化损伤机制。

• 单位
  山东省科学院; 齐鲁工业大学