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摘要
目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀，但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同，腐蚀结果也有待优化。研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌，利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片，发现4H-SiC晶片在500℃熔融KOH中腐蚀20 min效果为最优。在此基础上研究分析了半绝缘4H-SiC晶片的贯穿型位错的密度和分布。结果表明，半绝缘型SiC晶片中贯穿型位错密度的分布具有一定的规律性，呈现出从晶片中心区域向晶片边缘处增长的特性，而这可能源于在物理气相传输法下SiC单晶生长不同区域产生的热应力不同。
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