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摘要
基于现有冷屏结构,结合CFETR聚变堆装置的结构特点,提出了一种沿冷却板厚度方向钻冷却通道的深孔结构方案。对内冷屏各部件设计了并联加串联的特殊流道,采用有限元法计算了该方案内冷屏各部件的温度分布。结果表明,采用深孔法冷却方式,冷屏温度分布更均匀,降温效果更好。在输出辐射功率相近的条件下,深孔法的冷却方式可将表面辐射率上限由0.05提高到0.075,能用低表面辐射率和低活化性材料如铬和钨元素作为冷屏表面涂层替代银涂层。
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单位核工业西南物理研究院
