在半导体芯片制造工艺中，约1/3道工序采用等离子体技术，例如材料刻蚀和薄膜沉积等．因此对射频等离子体的基础物理过程的理论和模拟及实验研究具有重要意义．在理解等离子体的复杂物理过程、验证理论模型与数值模拟结果的正确性方面，实验诊断具有重要作用．总结了射频等离子体中常用的探针诊断方法及其最新研究进展，包括朗缪尔探针、双探针、微波共振探针以及磁探针，重点介绍了这些探针的结构、特点及典型的测量结果．
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