一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用

作者：徐苗; 徐华; 李民; 彭俊彪; 王磊; 邹建华; 陶洪

来源：2020-11-20, 中国, CN202011314502.3.

本发明公开了一种金属氧化物半导体,其为：在含铟的金属氧化物MO-In-2O-3半导体中,分别掺入至少两种的稀土元素R的氧化物和稀土元素R’的氧化物,形成In-xM-yR-nR’-mO-z半导体材料。本发明通过在含铟的金属氧化物中引入稀土元素R和R’的氧化物,分别作为载流子控制,以及光稳定性增强的作用,通过利用稀土元素R的氧化物中极高的氧断键能,进而有效控制半导体内的载流子浓度,同时,利用稀土离子半径和氧化铟中的铟离子半径相当的特性,且稀土元素R’离子中4f轨道结构和铟离子的5s轨道能形成高效的电荷转换中心,以提高其电学稳定性,特别是光照下的稳定性。本发明还提供基于该金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。

• 单位
  华南理工大学