SiC单晶生长热力学和动力学的研究

作者：董捷; 刘喆; 徐现刚; 胡晓波; 李娟; 王丽; 李现祥; 王继扬

来源：人工晶体学报, 2004, (03): 283-287.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2004.03.001

• SiC单晶
• 晶体生长
• 热力学
• 动力学 SiC single crystal
• crystal growth
• thermodynamics
• kinetics

升华法生长大直径碳化硅 (SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点 ,本文对Si C系中的Si,Si2 ,Si3 ,C ,C2 ,C3 ,C4,C5,SiC ,Si2 C ,SiC2 等气相物种的热力学平衡过程进行了研究 ,发现SiC生长体系中的主要物种为Si,Si2 C ,SiC2 。生长初期Si的分压较高 ,从而SiC生长为富硅生长模式。对外加气体进行研究发现 ,氩气为最好的外加气体 ,它既可以有效地抑制Si物质流传输 ,又可以减缓扩散系数随温度升高而递减的趋势。建立了简单一维传输模型 ,对三个主要物种的动力学输运过程进行了研究 ,计算得到了两个温度梯度下的主要物种的物质流密度。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学