利用W形空穴阻挡层降低 AlGaN基深紫外激光二极管的空穴泄露

作者：贾李亚; 张鹏飞; 张傲翔; 王芳; 刘俊杰; 刘玉怀^*

来源：原子与分子物理学报, 2023, 40(05): 111-116.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2023.054001

• AlGaN
• 深紫外激光二极管
• 空穴阻挡层
• 空穴泄露

本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构，改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件，将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究，分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度、辐射复合率、电光转换效率、有源区载流子浓度等特性，结果表明，具有W形空穴阻挡层的DUV-LD拥有更高的空穴有效势垒高度、更高的辐射复合率、更低的空穴泄露以及更好的斜率效率，可以有效降低深紫外激光二极管在n型区的空穴泄露，提升其光学和电学性能.

• 单位
  郑州大学