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摘要
本发明公开了一种用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺,包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第二金属层；进行电子束光刻,形成第一区域；进行干法刻蚀,在第一区域的底面上形成势垒凹槽；对势垒凹槽进行栅金属沉积形成第一结构,第一结构包括T型栅；对第一结构进行剥离,得到凹槽型浮空T型栅。本发明实施例通过设置第一金属层和第二金属层,可以避免第一光刻胶层与第二光刻胶层之间发生互溶,并且金属层能够释放电子束光刻中剩余的电荷,消除对曝光图像的不利影响,从而形成形貌规整的T型栅,有效地抑制栅极寄生电容,有效的提高饱和电流截止频率fT。
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