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摘要
纯ZnO由于禁带宽度较大,太阳光利用率不足;光生电子空穴复合率较高等缺点在实际应用中受到限制。为了提高ZnO对太阳光的利用率以及抑制其光生电子空穴复合,对纯ZnO改性十分必要。首先综述了纯ZnO形貌控制的最新研究成果,研究结果表明通过控制制备工艺,生成特殊形貌,改变ZnO团聚的缺点,使得光降解效率增加。然后重点针对ZnO的分离子掺杂改性、贵金属沉积改性和半导体复合改性等相关改性研究进展进行了综述,研究结果表明纯ZnO改性后能有效提高其光催化性能。
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单位云南开放大学; 云南国防工业职业技术学院
