超结功率半导体器件

作者：张波^*; 章文通; 蒲松; 乔明; 李肇基

来源：微纳电子与智能制造, 2019, 1(01): 5-19.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2019.01.002

• 功率半导体
• 超结器件
• 结型耐压层
• 硅极限

超结功率半导体器件是一类具有超结耐压层的重要器件,超结将PN结引入到常规"电阻型"耐压层中,使之质变为"结型耐压层",这种质变突破传统功率器件比导通电阻和耐压之间的Ron,sp∝VB2.5"硅极限"关系,使之降低到Ron,sp∝VB1.32,甚至Ron,sp∝VB1.03,超结器件也因此被誉为功率半导体器件的"里程碑"。从耐压层角度回顾功率半导体40年发展的3个里程碑,综述了超结的发明、概念与机理、技术与新结构,并总结超结发展历程与趋势。

• 单位
  电子科技大学