一种NiO薄膜的新型制备方法及其应用

作者：叶珂; 乔明

来源：电子与封装, 2016, 16(05): 31-34.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0061

• 紫外线氧化
• NiO薄膜
• NiO/Si异质结二极管

利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCO NRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60 min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30 min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过Phillips X’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,Keysight B1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2 V和-2 V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学