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摘要
为了实现对IGBT期间在全生命周期内的健康状态进行有效评估，基于半导体物理理论，研究了IGBT芯片疲劳失效机理，分析了IGBT栅极界面电荷密度对阈值电压的影响。以阈值电压作为IGBT的失效特征量，在研究阈值电压随疲劳失效时间变化规律的基础上，建立IGBT芯片疲劳失效失效模型。搭建了IGBT阈值电压测试测试平台，通过IGBT老化实验验证本文所提出的模型可以较为准确地表征和估算IGBT中的芯片老化程度，验证了失效模型的正确性和合理性。
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单位中国船舶工业综合技术经济研究院; 哈尔滨工业大学; 自动化学院
