钛镓掺杂氧化锌透明半导体薄膜的光电性能研究（英文）

作者：顾锦华; 万鑫; 龙浩; 陈首部; 钟志有^*

来源：中南民族大学学报(自然科学版), 2022, 41(06): 676-681.

DOI：10.20056/j.cnki.ZNMDZK.20220606

• 磁控溅射技术
• 透明半导体
• 光电性能

以玻璃作为衬底，采用射频磁控溅射技术，制备了钛镓掺杂氧化锌(TiGaZnO)透明半导体薄膜，通过紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试系统表征，研究了沉积气压对样品光学和电学性能的影响。结果表明：所有薄膜样品在可见光波段都具有良好的透光性，其可见光平均透射率均高于81.0%。同时沉积气压对薄膜光学和电学性能也具有明显的影响，当沉积气压为0.4 Pa时，TiGaZnO薄膜具有相对高的品质因数(4.034×103Ω-1·cm-1)和低的电阻率(1.685×10-3Ω·cm)，其光电综合性能较好。

• 单位
  电子信息工程学院; 中南民族大学