基于对磁通与电荷两者之间关系,阐述忆阻器器件的发现与应用。忆阻器作为一个"学习能力"极强的元件,可以记录任意时刻电阻关于时间的函数,起到高速有效地记忆流经它的电荷量的作用。制作作为一维(1D)ZnO纳米线材料,其表现的电阻渐变特性能够有效适用于突触的可塑性,将ZnO纳米线经过多次脉冲刺激后能够使其表现出稳定的电阻态。研究制作出的ZnO纳米线忆阻器在突触学习记忆功能方面具有卓越的应用空间。
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