基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管（英文）

作者：鞠国豪; 程正喜; 陈永平

来源：红外与毫米波学报, 2022, 41(04): 668-671.

• 雪崩光电二极管
• 横向SACM
• 高压CMOS工艺
• 击穿电压

提出了一种基于0.35μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离（Separate Absorption,Charge and Multiplication,SACM）的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层，并不需要任何工艺修改，这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明，横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M=10和M=50时，暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450～1050 nm。当反向偏置电压为20 V，即M=1时，峰值响应波长约为775 nm。当单位增益（M=1）时，在532nm处的响应度约为最大值的一半。

• 单位
  上海科技大学; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院大学