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摘要
本发明提出了一种具有电荷补偿块的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法。该器件在N+型碳化硅半导体衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型碳化硅外延层,在VDMOS器件的N型碳化硅漂移区中再形成多层P型电荷补偿块；在此基础之上形成新型碳化硅VDMOS器件的有源区。该结构利用多层P型碳化硅电荷补偿块产生的新电场峰对VDMOS器件的纵向电场进行调制,优化器件击穿电压与比导通电阻矛盾的同时,充分利用了宽带隙半导体材料高临界击穿电场等特点,形成具有低比导通电阻和高击穿电压的碳化硅新型VDMOS；另外碳化硅材料的高热导率特性有利于VDMOS器件的散热,器件的性能得到了有效改善。
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