铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征(英文)

作者：史成武; 史高杨; 陈柱; 孙人杰; 夏梅

来源：硅酸盐学报, 2011, (07): 1108-1111.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2011.07.001

• 铜锌锡硫
• 水热法
• 薄膜
• 浸涂法
• 制备 copper zinc tin sulfide
• hydrothermal
• thin film
• dip-coating
• preparation

采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理。用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。结果表明:所得的CZTS粉末的元素组成为Cu1.90Zn0.94Sn1.00S4.30,符合理论化学计量比,所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶度,表面均匀、无裂纹,其直接带隙为1.51 eV,退火后降低到1.34 eV。

• 单位
  中国科学院; 合肥工业大学