具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及其制备方法

作者：韩超; 孔龙龙; 王婷钰; 张玉明; 汤晓燕; 宋庆文

来源：2019-12-27, 中国, ZL201911381321.X.

本发明涉及一种具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及制备方法,终端结构包括：碳化硅衬底层(101)；半导体层(102),位于碳化硅衬底层(101)上；结终端扩展区(103),位于半导体层(102)中；有源区(104),位于半导体层(102)中且与结终端扩展区(103)相邻；调控中间层(105),位于半导体层(102)上,完全覆盖结终端扩展区(103)且部分覆盖有源区(104),调控中间层(105)与结终端扩展区(103)的掺杂类型不同；绝缘钝化层(106),覆盖调控中间层(105)的表面和半导体层(102)的表面,且与有源区(104)部分接触。该终端结构可以抑制界面电荷造成的器件击穿电压嬗变；可以有效拓宽“击穿电压-JTE掺杂浓度”优值窗口；降低了表面峰值电场,提高了器件反向耐压可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学