利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层，并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜，研究了SnO2缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响。结果表明，引入具有四方金红石结构的SnO2缓冲层后，上层氧化钒薄膜的结晶性变好，随着SnO2缓冲层厚度的增加，沉积的氧化钒薄膜中V4+含量逐渐提高，氧化钒薄膜的平均晶粒尺寸增大，成膜质量变好；相变锐度有所降低，热滞回线宽度减小。这些结果表示SnO2缓冲层的引入有利于在硅衬底上生长高质量且相变性能优越的VO2薄膜。
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