最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟

作者：张伟丽; 卢景霄; 王志永; 陈永生; 郜小勇; 杨仕娥; 谷锦华

来源：太阳能学报, 2011, (10): 1450-1454.

• 太阳电池
• p/i界面缓冲层
• AMPS-1D
• J-V特性
• 量子效率QE
• 晶化率X_c solar cells
• the buffer layer of p/i interface
• AMPS-ID
• J-V characteristic
• quantum efficiency(QE)
• the crystallization rate(X_c)

运用由美国宾州大学开发的AMPS-1D计算机模拟软件,模拟了在最佳缓冲层和无缓冲层的情况下,太阳电池的各性能参数随本征层厚度的变化、太阳电池的J-V特性和量子效率以及不同晶化率的本征活性层对太阳电池各性能参数和量子效率的影响。模拟结果表明:在最佳缓冲层100nm时,太阳电池的各性能参数比无缓冲层时有所提高;随着本征层晶化率X_c的增大,太阳电池的量子效率QE在长波段有明显提高;本征层晶化率高的太阳电池,具有较高的短路电流J_(SC),低的开路电压V_(OC)、转换效率Eff和填充因子FF。

• 单位
  郑州大学