高压大功率芯片封装的散热研究与优化设计

作者：王德成; 杨勋勇; 杨发顺^*; 胡锐; 王志宽; 陈潇

来源：微电子学, 2018, 48(06): 850-854.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180236

• 三维封装模型
• 单片型高压功率芯片
• 散热效率

针对单片高压功率集成电路芯片,利用Flo THERM软件,建立三维结构的封装模型,并对各模型进行了仿真。研究了在不同基片材料、不同粘结层材料、不同封装外壳条件下封装模型的温度变化情况,分析得出一个最优的封装方案。结果表明,当基片材料采用BeO陶瓷、粘结层采用AuSn20合金焊料、封装外壳采用金属Cu时,该封装模型的温度最低、散热效率最高。

• 单位
  贵州大学; 中国电子科技集团公司第二十四研究所