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摘要
本发明公开了一种高耐压的GaN基HEMT器件及其制备方法。所述器件AlGaN/GaN异质结外延层、源级电极、漏极电极、第一钝化层、T型栅电极、第一离散场板、第二钝化层、第二离散场板和漏场板。本发明采用呈一定斜角分布的双离散场板结构和漏场板结构,优化了沟道电场分布,降低了电场峰值,抑制了高温退火后漏电级金属尖峰造成器件提前击穿的影响,提高了器件的击穿电压；与此同时,由于第一离散场板与栅电极,以及第二离散场板与漏场板分别在同一步工艺中生长,简化了制备方法,使得所述器件的制备方法可重复性高,适用于高压大功率电力电子器件的产业化应用。
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