蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长

作者：赵红; 邹泽亚; 赵文伯; 杨晓波; 刘挺; 廖秀英; 王振; 周勇; 刘万清

来源：半导体光电, 2007, (06): 800-803.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2007.06.013

• MOCVD
• AlGaN
• 低温核化层 MOCVD
• low temperature nucleation layer

采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学