一种利用复熔工艺提高多晶晶体质量的方法

作者：张泽兴; 宋丽平; 杨帅国; 吴彬辉; 王应民

来源：2012-08-16, 中国, CN201210291031.8.

一种利用复熔工艺提高多晶晶体质量的方法,包括步骤：装料；确保硅料在进入长晶前熔化完全且热交换器DS-Block中心点的温度TC2为1400±3℃；进入长晶第一步快速将隔热笼提升至8-10cm使坩埚底部的温度快速下降；进入长晶第二步继续提升隔热笼至10-12cm；进入长晶第三步快速将隔热笼下降至零位；进入长晶第四步保持第三步时的隔热笼位置和铸锭炉温度控制点的温度TC1,最终保证晶体生长剩余的高度在1.3-1.7cm；进入长晶第六步晶体在复熔完成后剩余的晶体表面进行生长；进入长晶第六步以后按照正常的长晶工艺进行生长；晶体生长完后按正常程序进入退火和冷却。本方法具有操作简单、成本低的特点,而且晶体的生长质量得到明显改善,多晶硅片的光电转换效率提高了0.1%-0.3%。

• 单位
  江西旭阳雷迪高科技股份有限公司