正文以正方形单胞为例，较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻Ron与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结构Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特性导通电阻Ron的影响，给出了多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶区尺寸Lp的最佳化设计比值与Ron的关系，最后阐述了研究讨论的结构。
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