MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

作者：陆曙; 童玉珍; 陈志忠; 秦志新; 于彤军; 胡晓东; 张国义

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (03): 279-283.

• 相分离
• InGaN
• InN
• XRD
• MOCVD phase separation
• MOCVD

利用 X射线衍射 (XRD)测量用 MOCVD生长的 In Ga N样品 ,观察到 In N相 .通过 X射线衍射理论 ,计算得到 In N相在 In Ga N中的含量 .通过退火和变化生长条件发现 In N相在 In Ga N薄膜中的含量与生长时 N2 载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关 .进一步的分析表明 In Ga N合金中出现 In N相的主要原因是相分离 .

• 单位
  北京大学; 物理学院; 人工微结构和介观物理国家重点实验室