总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响

作者：王贺权; 巴德纯; 沈辉; 汪保卫; 闻立时

来源：真空科学与技术学报, 2005, (1): 65-68.

DOI：10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.017

• 二氧化钛薄膜
• 直流反应磁控溅射
• 总气压
• 反射率

用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学性质.应用n& k Analyzer 1200测量,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向短波方向移动,总气压对消光系数k影响不大;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当总气压达到

• 单位
  中山大学; 中国科学院广州能源研究所; 中国科学院金属研究所; 沈阳农业大学; 东北大学