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摘要
本发明公开了一种高平带电压稳定性低界面态密度SiC#MOS电容及其制造方法,涉及微电子技术领域,所述SiC#MOS电容包括：依次叠合排列的负电极、SiC衬底、SiC外延层、第II主族碱土金属氧化物界面层、SiO2栅介质层和正电极,所述SiC#MOS电容通过在SiC外延层和SiO2栅介质层之间叠合碱土金属氧化物界面层,缓和界面应力,减少悬挂键,达到了降低界面态密度和边界陷阱密度,改善了界面特性,提升了平带电容的稳定性的目的,提高了SiC#MOS电容的质量并增强了其可靠性。
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本发明公开了一种高平带电压稳定性低界面态密度SiC#MOS电容及其制造方法,涉及微电子技术领域,所述SiC#MOS电容包括：依次叠合排列的负电极、SiC衬底、SiC外延层、第II主族碱土金属氧化物界面层、SiO2栅介质层和正电极,所述SiC#MOS电容通过在SiC外延层和SiO2栅介质层之间叠合碱土金属氧化物界面层,缓和界面应力,减少悬挂键,达到了降低界面态密度和边界陷阱密度,改善了界面特性,提升了平带电容的稳定性的目的,提高了SiC#MOS电容的质量并增强了其可靠性。
