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摘要
利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源，对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究。结果表明，低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120∶1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力，最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1，成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm。该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义。
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利用高能量纳秒激光轰击Al靶材产生的X射线作为信号源，对光折变X射线半导体响应芯片的空间性能进行实验研究。结果表明，低温生长AlGaAs芯片具备在X射线入射能量120∶1的动态范围内进行高空间分辨的大画幅成像能力，最优空间分辨率≥35 lp/mm@MTF=0.1，成像画幅可达6.7 mm×6.7 mm。该研究对于光折变X射线超快成像系统的研制具有参考意义。
