Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量

作者：王旭辉; 程军; 杨明超; 张莉丽; 雷冰洁; 耿莉^*

来源：实验室研究与探索, 2022, 41(07): 39-43.

DOI：10.19927/j.cnki.syyt.2022.07.009

• Si-MOS结构
• C-V测试
• 固定电荷/可动电荷

研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构，用于Si-SiO2氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后，可在普通探针台或测试夹具中进行测试，避免了原实验中汞探针的使用，降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题；对制作样品进行了固定电荷/可动电荷测试，分析了测试结果与样品设计的关系。同时，进一步研究了：(1)测试条件对实验结果的影响，结果表明100 kHz下的固定电荷/可动电荷测量可行性，为高频C-V测试仪的选择降低了成本；(2)制备工艺对样品性能的影响，为制作适合于不同应用场景的样品提供了参考。该研究建立的测定方法，还适用于微电子专业“MOS结构C-V法测定SiO2中固定电荷及可动电荷密度”实验中的样品测定需求。

• 单位
  西安交通大学