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摘要
本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法,主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i#GaN层(3)、n型GaN层(4)、InxGa1#xN/GaN量子阱层(5)和p型GaN层(6),其中n型GaN层(4)通过离子注入的方式进行掺杂,注入有剂量为1×1015#1017cm#2、能量为100keV的Sn离子。本发明提高了光电转换结构对光的吸收率,进而提高了其效率,可用来制作高效率的太阳能电池。
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