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摘要
动态随机存取存储器(DRAM)具有低延迟、高带宽的特点，应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前景，介绍了DRAM器件的结构、基本原理和关键功能，还介绍了在工艺制程微缩过程中，科研人员就短沟道效应带来的漏致势垒降低、漏电电流过大、速度饱和、热载流子效应等问题提出的技术解决方案。针对当前DRAM面临的刷新时间过短、电容器可靠性低等问题，介绍了无电容结构DRAM的研究状况。未来对于更高级别的DRAM单元设计，可能在工艺、材料、电路设计等方面做出创新。
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单位湖北师范大学
