全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文）

作者：田明; 宋洋; 雷海波^*

来源：微纳电子技术, 2019, 56(12): 970-977.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.005

• 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)
• 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
• 源/漏区抬升结构
• 外延生长
• 绝缘体上硅(SOI)损耗

介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件沟道厚度约为6 nm,源漏外延层厚度为20～30 nm。最后,阐述了外延成分对器件电学性能的影响。