(Bi0.5Li0.5)HfO3掺杂铌酸银基反铁电陶瓷的储能特性研究

作者：徐坤; 张丹阳; 展敏园; 曹月丛; 徐永豪^*

来源：电子元件与材料, 2023, 42(09): 1060-1070.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0231

• AgNbO3
• 相变调控
• 弛豫特性
• 轧膜成型
• 储能特性

通过在AgNbO3的A位引入7%(摩尔分数)的Sr2+(Ag0.86Sr0.07NbO3),在降低了电滞ΔE的同时，将M2-M3相变调节至室温附近。在此基础上，结合轧膜成型工艺，设计了(1-x)Ag0.86Sr0.07NbO3-x(Bi0.5Li0.5)HfO3(ASN-100xBLH,x=0.00～0.12)体系，在1050～1140℃氧气氛下保温2 h制备出致密性良好的厚膜陶瓷样品。结果表明，随着BLH掺杂浓度的增加，ASN-100xBLH陶瓷的击穿场强与储能特性均有不同程度的提升。在460 kV·cm-1电场下，ASN-11BLH的储能性能达到最优，储能密度和储能效率分别为4.6 J·cm-3和90.0%。此外，ASN-11BLH陶瓷表现出较好的温度稳定性和频率稳定性。在300 kV·cm-1电场下，25～120℃的温度范围内，储能密度和储能效率的变化率分别为9.4%和9.8%;10～500 Hz频率范围内，储能密度和储能效率的变化率分别为1.9%和1.2%。

• 单位
  河南理工大学