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摘要
针对纳米SiO2材料在XLPE基体中容易团聚的问题，采用巯基-双键点击化学原理和纳米材料的表面改性技术，将纳米SiO2引入到了紫外光交联聚乙烯的网状结构中，提高了纳米SiO2在XLPE基体中的分散性。同时引入了更多的深陷阱，改变了功能化纳米SiO2与XLPE基体之间的界面特性，从而提高了功能化SiO2/UV-XLPE纳米复合材料的介电性能。对材料进行核磁共振氢谱、红外光谱以及扫描电镜等实验进行结构表征。在线性升温条件下测试材料在工频下的介电常数εr和损耗角正切值tanδ,探讨功能化纳米SiO2的表面高介电壳层对纳米复合材料的变温介电特性的影响；通过TSC测试探究材料内部的陷阱能级分布情况，并在不同温度下测试了材料的交流击穿特性。随着温度的提高，复合材料内部杂质分子热运动加剧，使得相对介电常数εr随温度提高减小，而偶极子转向在介电损耗中的贡献逐渐增大，所以损耗角正切值tanδ呈现出变大的趋势。另外功能化纳米SiO2在界面中引入了许多俘获电子的深陷阱，这些深陷阱限制了载流子的迁移，使得高温交流击穿强度有了显著提高，其中1.5wt%TMPTA-s-SiO2交流击穿场强最高，80℃时相对于纯XLPE的特征击穿场强要高出5.8%,在高温下具有最优良的耐击穿稳定性。
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