外尔半金属Co3Sn2S2薄膜的制备和电磁性质研究

作者：李首翰; 崔驰; 李威; 杨燚; 黄润生^*

来源：南京大学学报(自然科学), 2023, 59(04): 705-712.

DOI：10.13232/j.cnki.jnju.2023.04.016

• 外尔半金属
• Co3Sn2S2
• 磁控溅射法

外尔半金属Co3Sn2S2是一种新型的拓扑量子材料，具有独特的拓扑能带结构，被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料，而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O2(300 nm)/Si(100)和Al2O3(0001)衬底上生长Co3Sn2S2薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co3Sn2S2薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上，Co3Sn2S2薄膜的生长情况也不同，较薄的Co3Sn2S2 (<200 nm)适合生长在Al2O3(0001)衬底上，而较厚的Co3Sn2S2 (～5μm)适合生长在Si O2(300 nm)/Si(100)衬底上.Co3Sn2S2纵向电阻率随着厚度的增加而增加，对导电起主要作用的表面层厚度保持在一定尺度内.

• 单位
  南京大学