中频磁控反应溅射氧化硅（SiOx）薄膜绝缘性的研究

作者：张汉焱; 郑丹旭; 沈奕^*; 陈玉云

来源：真空, 2023, 60(02): 34-38.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2023.02.06

• 中频磁控溅射
• 氧化硅薄膜
• 绝缘性
• 电阻
• 傅里叶变换红外光谱
• 含氧量

本文采用兆欧表测量电阻的方法，研究了中频磁控溅射氧化硅(SiOx)薄膜的绝缘性。利用XRD和FTIR对薄膜进行了表征。结果表明：溅射产物为无定型SiOx；兆欧表探针接触薄膜瞬间的电阻Ri与FTIR图谱位于900cm-1波数附近的吸收峰a和760cm-1附近的吸收峰b相关；随着Ri增加，吸收峰b红移，a与b的峰高比上升，SiOx薄膜含氧量增大；Ri偏低的异常品经过250℃热处理，可达到正常产品的阻值范围，镀膜腔室内氧浓度的异常变化是生产过程中SiOx薄膜绝缘性下降的原因。

• 单位
  汕头超声显示器技术有限公司