阐述了制备器件结构从下到上依次为氧化铟锡玻璃基底、PVA为绝缘层、PCBM为有机层、铝为源漏电极的有机场效应晶体管(OFET)。研究不同浓度的溶液PVA绝缘层对OFET的影响。实验证明40mg/ml的PVA溶液制备绝缘层时对OFET性能有所改善。