高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究

作者：王伟宾; 霍伟荣; 赵远远; 王姝娅; 束平; 张国俊

来源：压电与声光, 2012, (01): 114-117.

• 高K薄膜
• 锆钛酸铅(PZT)薄膜
• 湿法刻蚀
• LDMOS
• 刻蚀速率 high-K thin films
• PZT thin films
• wet etching
• etching rate

为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室