功率晶体管直流增益温度变化率的研究及埋层结构优化

作者：张华杰^*

来源：电子元件与材料, 2019, 38(11): 29-36.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.11.006

• 功率晶体管
• 直流增益
• 高低温变化率
• 埋层结构
• 优化

利用TCAD半导体器件仿真软件,依据NPN型大功率晶体管电参数指标要求,针对直流增益及其高、低温变化率进行了研究。为拓宽满足直流增益要求的结构参数范围并改善直流增益高、低温变化率,提出一种新型带P+埋层的高反压大功率晶体管结构。仿真结果表明:通过对P+埋层掺杂浓度和厚度进行优化,可有效折中直流增益和集电极-发射极击穿电压的矛盾关系,使得发射区、基区结构参数在较大范围内满足直流增益指标要求,增大了工艺裕量。P+埋层的存在,可针对满足直流增益及其高、低温变化率的要求来调整发射区、基区结构参数。

• 单位
  电子工程学院; 新乡学院