本研究通过模拟高能Kr+离子注入Gd2Ti2O7基体来模拟重离子辐照损伤过程。模拟结果说明,注入粒子能量小于1.3 MeV时主要为原子核阻止作用占据优势,大于1.3 MeV时核外电子阻止作用占据优势。注入粒子能量大部分以电离方式损失。2~10 MeV能量的Kr+离子入射时,损伤区深度为550~2350 nm,产生的空位总数约为1273~2479个。