对于MOS器件隧穿电流的测量及修正，通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础，提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效，大量减少对应的拟合参数，简化运算步骤，提高精度。同时经过算例验证，方案切实可行，并与自洽解方式进行对比，提高了计算的时效性，具备更高的精确性及普适性。同时，将隧穿模型用于不同栅介质材料的测量，并与实际数据进行对比，结果吻合度高，更加适用于MOS器件修正模拟。
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