基于GaN开关管高频手机适配器研究

作者：杨奕; 张学健; 罗蕾

来源：西南大学学报(自然科学版), 2020, 42(10): 156-163.

DOI：10.13718/j.cnki.xdzk.2020.10.020

• GaN开关管
• 有源钳位反激
• 无源钳位反激
• 次级谐振的ACF
• 充电效率

基于开关管高频化的问题,提出了符合MATLAB仿真的一种GaN开关管高频手机适配器的实验研究.通过对次级谐振有源钳位反激电路的仿真模型分析,设计了一种基于GaN开关管高频手机适配器.根据对有源钳位反激和无源钳位反激的比较分析,得出无源钳位反激的局限性.在有源钳位反激中,对比分析初级谐振和次级谐振,提出初级谐振的不足同时凸显次级谐振的优势.设计通过相应的控制策略和参数设定,能够提高适配器充电效率和变换器的功率密度,减少开关损耗,安全可靠.

• 单位
  重庆理工大学; 电子工程学院