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摘要
随着人们进入信息时代，半导体技术快速发展，对薄膜晶体管(Thin film transistor,简称TFT)的性能要求逐渐提高.IGZO由于具有较高的载流子迁移率、相对良好的均匀性等优势而受到广泛关注；而传统的真空技术制备薄膜晶体管，因制备工艺复杂、制备成本高等问题，在快速发展的信息时代逐渐显露出局限性，本文采用制备工艺更为简单的溶液法在Si/SiO2基底上制备IGZO有源层薄膜，并测试不同退火温度(450℃,550℃,650℃)条件下对薄膜性能的影响.结果表明，适当提高退火温度可以有效改善IGZO-TFT器件的电学性能，本实验测试得出：当溶液法制备薄膜在550℃退火温度下退火器件性能最优，溶液法制备的器件电流开关闭达到105,器件性能相对比较稳定.
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